رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMD22T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMD22T2R-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
7385 قطع جديدة أصلية في المخزون
13521904
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMD22T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 2.5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMD22
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMD22T2R-ND
EMD22T2RTR
Q2730364
EMD22T2RDKR
EMD22T2RCT
EMD22T2R-NDL
Q2730364A
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PEMD13,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3987
DiGi رقم الجزء
PEMD13,115-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NSBC143ZPDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
7000
DiGi رقم الجزء
NSBC143ZPDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EMB61T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB9T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB51T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6