EMF8T2R
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

EMF8T2R

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

EMF8T2R-DG

وصف:

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6

المخزون:

13523554
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

EMF8T2R المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA, 500mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V, 12V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz, 320MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMF8T2

معلومات إضافية

الباقة القياسية
8,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

EMH4T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMF24T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

rohm-semi

EMH10T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMD12T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6