EMG1T2R
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

EMG1T2R

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

EMG1T2R-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

المخزون:

5932 قطع جديدة أصلية في المخزون
13522938
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

EMG1T2R المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
56 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
حزمة جهاز المورد
EMT5
رقم المنتج الأساسي
EMG1T2

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
EMT5 DTR Reliability Test
موارد التصميم
EMT5 Inner Structure
أوراق البيانات
EMG1T2R EMT5 T2R Taping Spec

معلومات إضافية

الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMG1T2RCT
EMG1T2RDKR
EMG1T2RTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

EMB10T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMD29T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6

rohm-semi

EMD2T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMA4T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5