EMG8T2R
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

EMG8T2R

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

EMG8T2R-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

المخزون:

7975 قطع جديدة أصلية في المخزون
13523956
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

EMG8T2R المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
حزمة جهاز المورد
EMT5
رقم المنتج الأساسي
EMG8T2

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMG8T2RCT
EMG8T2RTR
EMG8T2RDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
NSB1706DMW5T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4465
DiGi رقم الجزء
NSB1706DMW5T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

EMB11FHAT2R

TRANS 2PNP 100MA EMT6

rohm-semi

FMC3AT148

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5

rohm-semi

IMD8AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

rohm-semi

IMH6AT108

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6