رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMH1T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMH1T2R-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
13521524
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMH1T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
56 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMH1T2
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMH1T2RTR
EMH1T2R-ND
EMH1T2RCT
EMH1T2RDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSBC124EDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3573
DiGi رقم الجزء
NSBC124EDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMH1,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
PEMH1,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
PEMD2,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2902
DiGi رقم الجزء
PEMD2,115-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EMH25FHAT2R
TRANS 2NPN 100MA EMT6
EMD22FHAT2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMB75T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6