رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EML17T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EML17T2R-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V EMT5
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50 V 30 mA 250 MHz 120 mW Surface Mount EMT5
المخزون:
13520439
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EML17T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased + Diode
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
30 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
47 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
68 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
120 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
حزمة جهاز المورد
EMT5
رقم المنتج الأساسي
EML17
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTC143XCAT116
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
DTC123JMT2L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
DTC115EU3T106
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
