رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMZ2T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMZ2T2R-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
13523910
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMZ2T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN, PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
التردد - الانتقال
180MHz, 140MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMZ2T2
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMZ2T2R-ND
EMZ2T2RCT
EMZ2T2RTR
EMZ2T2RDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
HN1B04FE-Y,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5
DiGi رقم الجزء
HN1B04FE-Y,LF-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMZ1T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
15718
DiGi رقم الجزء
EMZ1T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
