رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HP8K22TB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
HP8K22TB-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
4757 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525026
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HP8K22TB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
-
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A, 57A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.8nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1080pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
25W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
رقم المنتج الأساسي
HP8K22
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
HP8K22TBCT
HP8K22TBDKR
HP8K22TBTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SP8M51TB1
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
TT8M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST
SP8K1FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
