رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HP8K24TB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
HP8K24TB-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 15A/27A 8HSOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
9480 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524601
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HP8K24TB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 10V, 36nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
رقم المنتج الأساسي
HP8K24
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
HP8K24TBDKR
HP8K24TBCT
HP8K24TBTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EM5K5T2R
MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
