رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HP8ME5TB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
HP8ME5TB1-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 100V 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
1193 قطع جديدة أصلية في المخزون
12787955
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HP8ME5TB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Standard
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
90pF @ 50V, 590pF @ 50V
الطاقة - الحد الأقصى
3W (Ta), 20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-HP8ME5TB1DKR
846-HP8ME5TB1CT
846-HP8ME5TB1TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HT8KE6TB1
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
HP8KE6TB1
MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
SIZF4800LDT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
