IMB3AT110
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IMB3AT110

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

IMB3AT110-DG

وصف:

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

المخزون:

13525400
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IMB3AT110 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 2.5mA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SMT6
رقم المنتج الأساسي
IMB3

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IMB3AT110-ND
846-IMB3AT110DKR
846-IMB3AT110CT
846-IMB3AT110TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

IMB10AT110

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

rohm-semi

UMC2NTR

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5

rohm-semi

IMH11AT110

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

rohm-semi

UMA8NTR

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5