الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
QS5K2TR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
QS5K2TR-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 2A 1.25W Surface Mount TSMT5
المخزون:
178116 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526820
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
QS5K2TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Common Source
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.9nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
175pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.25W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
حزمة جهاز المورد
TSMT5
رقم المنتج الأساسي
QS5K2
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
TSMT5 MOS Reliability Test
موارد التصميم
TSMT5M Inner Structure
أوراق البيانات
QS5K2
TSMT5 TR Taping Spec
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
QS5K2CT
QS5K2DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TT8J21TR
MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
QS6M4TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
SP8M5FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
SH8KA4TB
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP