رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
QS5U17TR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
QS5U17TR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
المخزون:
8691 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526444
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
QS5U17TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
175 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSMT5
العبوة / العلبة
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
رقم المنتج الأساسي
QS5U17
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
QS5U17CT
QS5U17DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
RQ6E080AJTCR
MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F