QS6U24TR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

QS6U24TR

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

QS6U24TR-DG

وصف:

MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

المخزون:

11255 قطع جديدة أصلية في المخزون
13527506
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

QS6U24TR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.7 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
90 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSMT6 (SC-95)
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
QS6U24

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
TSMT6 MOS DI Reliability Test
أوراق البيانات
QS6U24TR TSMT6 TR Taping Spec TSMT6MD Inner Structure

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
QS6U24DKR
QS6U24CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

R6012ANX

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM

rohm-semi

SCT2450KEC

SICFET N-CH 1200V 10A TO247

rohm-semi

R6007KNJTL

MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

rohm-semi

RDN120N25

MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN