رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R5007FNX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R5007FNX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
212 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526479
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R5007FNX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.3Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R5007
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
R5007FNXCT
R5007FNXCT-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6007JNXC7G
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2019
DiGi رقم الجزء
R6007JNXC7G-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RJU003N03T106
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
RQ3G100GNTB
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
R6024ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
