رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R5011FNX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R5011FNX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 11A (Ta), 5.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
12818013
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R5011FNX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta), 5.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
520mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
950 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R5011
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
846-R5011FNX
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFIB7N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
813
DiGi رقم الجزء
IRFIB7N50APBF-DG
سعر الوحدة
1.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK11A50D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TK11A50D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQPF13N50CF
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
719
DiGi رقم الجزء
FQPF13N50CF-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDPF16N50UT
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
373
DiGi رقم الجزء
FDPF16N50UT-DG
سعر الوحدة
1.24
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK12A53D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TK12A53D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
1.00
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSO613SPVGXUMA1
MOSFET P-CH 8-SOIC
IRFR5410TRR
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
