رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R5016ANX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R5016ANX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
13526770
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R5016ANX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
270mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
77W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R5016
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK15A50D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
65
DiGi رقم الجزء
TK15A50D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK18A50D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
19
DiGi رقم الجزء
TK18A50D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
1.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDPF20N50FT
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDPF20N50FT-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
QS5U36TR
MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
RSL020P03FRATR
MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
R8002ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
