الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R5016FNX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R5016FNX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
2 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525499
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R5016FNX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
325mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R5016
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
R5016FNX
وثائق الموثوقية
TO220FM MOS Reliability Test
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF19NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
982
DiGi رقم الجزء
STF19NM50N-DG
سعر الوحدة
1.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP14NK50ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
831
DiGi رقم الجزء
STP14NK50ZFP-DG
سعر الوحدة
1.77
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF12N50M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
982
DiGi رقم الجزء
STF12N50M2-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK14A55D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
24
DiGi رقم الجزء
TK14A55D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK13A50D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
25
DiGi رقم الجزء
TK13A50D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ6A045ZPTR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
RD3L08BGNTL
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
R6035ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
RTU002P02T106
MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3