رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R5021ANX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R5021ANX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 21A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
13526326
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R5021ANX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
210mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R5021
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
R5021ANXCT-ND
R5021ANXCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF28NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1662
DiGi رقم الجزء
STF28NM50N-DG
سعر الوحدة
3.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK18A50D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
19
DiGi رقم الجزء
TK18A50D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
1.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
RTR040N03TL
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
RZF020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
