رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6004ENX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6004ENX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
106 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525128
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6004ENX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
980mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R6004
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
R6004ENXCT-ND
R6004ENXCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF7N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1953
DiGi رقم الجزء
STF7N60M2-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
410
DiGi رقم الجزء
STF6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP10NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
999
DiGi رقم الجزء
STP10NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.94
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6004JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
RD3L080SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
RSD200N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
