الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6011KNX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6011KNX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
418 قطع جديدة أصلية في المخزون
13527075
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6011KNX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
740 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
53W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R6011
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
R6011KNX
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
R6011KNXCTINACTIVE
R6011KNXDKRINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STFU18N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
925
DiGi رقم الجزء
STFU18N65M2-DG
سعر الوحدة
1.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOTF11S65L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
2967
DiGi رقم الجزء
AOTF11S65L-DG
سعر الوحدة
0.98
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP12N65X2M
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
295
DiGi رقم الجزء
IXFP12N65X2M-DG
سعر الوحدة
1.80
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA70R360P7SXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
544
DiGi رقم الجزء
IPA70R360P7SXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF11NM80
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
966
DiGi رقم الجزء
STF11NM80-DG
سعر الوحدة
2.95
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6007JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
R8008ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252