رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6015ANJTL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6015ANJTL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
المخزون:
13525039
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6015ANJTL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LPTS
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
R6015
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6015ENJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
4
DiGi رقم الجزء
R6015ENJTL-DG
سعر الوحدة
1.65
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPB11N60C3ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2703
DiGi رقم الجزء
SPB11N60C3ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB60R299CPAATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3987
DiGi رقم الجزء
IPB60R299CPAATMA1-DG
سعر الوحدة
1.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFA22N60P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFA22N60P3-DG
سعر الوحدة
3.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RTF025N03TL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
RJU002N06T106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
RDD022N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
