الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6015KNX
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6015KNX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13524514
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6015KNX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1050 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R6015
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
R6015KNX
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
R6015KNXDKR
R6015KNXCT
R6015KNXTR
R6015KNXCT-ND
R6015KNXDKR-ND
R6015KNXTR-ND
R6015KNXCTINACTIVE
R6015KNXDKRINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPAN80R280P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
23
DiGi رقم الجزء
IPAN80R280P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIHA17N80E-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4
DiGi رقم الجزء
SIHA17N80E-E3-DG
سعر الوحدة
2.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOTF15S65L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
830
DiGi رقم الجزء
AOTF15S65L-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF23N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
978
DiGi رقم الجزء
STF23N80K5-DG
سعر الوحدة
2.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCPF260N60E
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
190
DiGi رقم الجزء
FCPF260N60E-DG
سعر الوحدة
1.76
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RTF016N05TL
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
2SK2504TL
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
2SK3541T2L
MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
2SK2887TL
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3