رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6020JNZC8
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6020JNZC8-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 76W (Tc) Through Hole TO-3PF
المخزون:
30 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526744
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6020JNZC8 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
234mOhm @ 10A, 15V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
7V @ 3.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
76W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
معلومات إضافية
الباقة القياسية
360
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6020JNZC17
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
299
DiGi رقم الجزء
R6020JNZC17-DG
سعر الوحدة
3.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R5009ANJTL
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
RSS100N03TB
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
