R6030JNZ4C13
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

R6030JNZ4C13

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

R6030JNZ4C13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247G

المخزون:

522 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525632
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

R6030JNZ4C13 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
7V @ 5.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
370W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247G
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
R6030

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

RF4E070GNTR

MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8

rohm-semi

RQ3E160ADTB

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

rohm-semi

RSY160P05TL

MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3

rohm-semi

RQ5C025TPTL

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3