R6047ENZ4C13
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

R6047ENZ4C13

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

R6047ENZ4C13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 47A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247

المخزون:

9 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851395
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

R6047ENZ4C13 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
47A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
72mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3850 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
481W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
R6047

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
846-R6047ENZ4C13

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
SIHG40N60E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
809
DiGi رقم الجزء
SIHG40N60E-GE3-DG
سعر الوحدة
3.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDS7098N3

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

infineon-technologies

AUIRFR3607

MOSFET N-CH 75V 56A DPAK

rohm-semi

R6076ENZ4C13

MOSFET N-CH 600V 76A TO247

onsemi

FDD8796

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA