رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6049YNZ4C13
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6049YNZ4C13-DG
وصف:
NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 49A (Tc) 448W (Tc) Through Hole TO-247G
المخزون:
600 قطع جديدة أصلية في المخزون
13238648
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6049YNZ4C13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V, 12V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
82mOhm @ 11A, 12V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6V @ 2.9mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2940 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
448W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247G
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
846-R6049YNZ4C13
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6061YNXC7G
NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
G300N04D3
MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
G18N50T
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220