رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RDN100N20
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RDN100N20-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 10A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
المخزون:
13526542
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RDN100N20 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
543 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FN
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
RDN100
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCX120N20
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RCX120N20-DG
سعر الوحدة
1.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF20NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1061
DiGi رقم الجزء
STF20NF20-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF19NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1731
DiGi رقم الجزء
STF19NF20-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRL630PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
890
DiGi رقم الجزء
IRL630PBF-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RT1A050ZPTR
MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
RV2C001ZPT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
RJU002N06FRAT106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
