رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RE1J002YNTCL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RE1J002YNTCL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
المخزون:
69171 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524898
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RE1J002YNTCL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0.9V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
800mV @ 1mA
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
26 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
EMT3F (SOT-416FL)
العبوة / العلبة
SC-89, SOT-490
رقم المنتج الأساسي
RE1J002
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RE1J002YNTCLTR
RE1J002YNTCLDKR
RE1J002YNTCLCT
RE1J002YNTCL-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TT8U2TCR
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
RSD130P10TL
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
TT8U1TR
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
