RQ3E100BNTB
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RQ3E100BNTB

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

RQ3E100BNTB-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

المخزون:

95904 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525392
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RQ3E100BNTB المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSMT (3.2x3)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
RQ3E100

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RQ3E100BNTBDKR
RQ3E100BNTBCT
RQ3E100BNTBTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

SCT3060ALHRC11

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

rohm-semi

RHU003N03T106

MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3

rohm-semi

RQ6C050BCTCR

MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6

rohm-semi

RQ5H020SPTL

MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3