RS6L090BGTB1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RS6L090BGTB1

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

RS6L090BGTB1-DG

وصف:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

المخزون:

2206 قطع جديدة أصلية في المخزون
12990010
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RS6L090BGTB1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1950 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 73W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
RS6L090BG
مخططات البيانات
RS6L090BGTB1
ورقة بيانات HTML
RS6L090BGTB1-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-RS6L090BGTB1CT
846-RS6L090BGTB1DKR
846-RS6L090BGTB1TR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506