رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RSE002N06TL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RSE002N06TL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
المخزون:
2603 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524378
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RSE002N06TL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
EMT3
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
رقم المنتج الأساسي
RSE002
مواصفات تقنية ومستندات
دليل ترقيم الأجزاء
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RSE002N06TLTR
RSE002N06TLDKR
RSE002N06TLCT
RSE002N06TL-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RE1L002SNTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
50773
DiGi رقم الجزء
RE1L002SNTL-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R8010ANX
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
RTQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RSH070P05GZETB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP