رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SCT3080ALHRC11
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SCT3080ALHRC11-DG
وصف:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W Through Hole TO-247N
المخزون:
458 قطع جديدة أصلية في المخزون
13527233
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SCT3080ALHRC11 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.6V @ 5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+22V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
571 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
134W
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247N
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SCT3080
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6015KNJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
RSJ400N06TL
MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
RD3L220SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 22A TO252
