رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SH8MA3TB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SH8MA3TB1-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/6A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 7A (Ta), 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
19709 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525664
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SH8MA3TB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Ta), 6A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300pF @ 15V, 480pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SH8MA3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SH8MA3TB1CT
SH8MA3TB1TR
SH8MA3TB1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SH8M70TB1
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP
UT6MA3TCR
MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
SP8M3TB
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP