رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SH8MB5TB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SH8MB5TB1-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 8.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
6182 قطع جديدة أصلية في المخزون
12965610
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SH8MB5TB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SH8MB5
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-SH8MB5TB1CT
846-SH8MB5TB1TR
846-SH8MB5TB1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJ941EP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
UT6KB5TCR
MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8
SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
