رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SH8MC5TB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SH8MC5TB1-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 6.5A (Ta), 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
2421 قطع جديدة أصلية في المخزون
12965292
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SH8MC5TB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Ta), 7A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SH8MC5
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-SH8MC5TB1DKR
846-SH8MC5TB1TR
846-SH8MC5TB1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
QH8MB5TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
SI4834BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
QH8MC5TCR
MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A TSMT8