رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SP8K32TB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SP8K32TB1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 4.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
12929153
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SP8K32TB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate, 4V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
500pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SP8K32
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-SP8K32TB1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SH8K32TB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
10565
DiGi رقم الجزء
SH8K32TB1-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIZ340ADT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
AO4801
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
AO4800BL
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
