رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TT8M3TR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
TT8M3TR-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.5A, 2.4A 1W Surface Mount 8-TSST
المخزون:
13524868
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TT8M3TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.5A, 2.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
260pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
8-TSST
رقم المنتج الأساسي
TT8M3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TT8M3TRCT-ND
TT8M3TRCT
TT8M3TRDKR
TT8M3CT
TT8M3TRTR
TT8M3TRTR-ND
TT8M3TRDKR-ND
TT8M3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HP8MA2TB1
MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
SP8K33FRATB
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
US6J2TR
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6