رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UMF18NTR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
UMF18NTR-DG
وصف:
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount UMT6
المخزون:
12995489
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UMF18NTR المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA, 150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA, 100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz, 140MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
UMT6
رقم المنتج الأساسي
UMF18
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
846-UMF18NTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة