US6J12TCR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

US6J12TCR

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

US6J12TCR-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 2A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6

المخزون:

3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525978
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

US6J12TCR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
850pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
910mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
TUMT6
رقم المنتج الأساسي
US6J12

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
US6J12TCRTR
US6J12TCRCT
US6J12TCRDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

QH8K51TR

MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8

rohm-semi

US6M1TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

rohm-semi

QS8J2TR

MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

rohm-semi

SH8J66TB1

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP