رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
US6J12TCR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
US6J12TCR-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 2A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525978
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
US6J12TCR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
850pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
910mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
TUMT6
رقم المنتج الأساسي
US6J12
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
US6J12TCRTR
US6J12TCRCT
US6J12TCRDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
