رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UT6KC5TCR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
UT6KC5TCR-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8D
المخزون:
1329 قطع جديدة أصلية في المخزون
12967403
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UT6KC5TCR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
95mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.1nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
135pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerUDFN
حزمة جهاز المورد
DFN2020-8D
رقم المنتج الأساسي
UT6KC5
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
846-UT6KC5TCRCT
846-UT6KC5TCRTR
846-UT6KC5TCRDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SP8K41HZGTB
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
SP8K22HZGTB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP
SP8K31HZGTB
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP