رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SKI10123
Product Overview
المُصنّع:
Sanken Electric USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
SKI10123-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 66A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 66A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263
المخزون:
13563001
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SKI10123 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Sanken Electric Co., Ltd.
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
66A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.6mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
88.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6420 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
135W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SKI10123DKR
SKI10123TR
SKI10123CT
SKI10123 DK
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
