رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SMA5106
Product Overview
المُصنّع:
Sanken Electric USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
SMA5106-DG
وصف:
MOSFET 4N-CH 100V 4A 12SIP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 100V 4A (Ta) 4W (Ta), 28W (Tc) Through Hole 12-SIP
المخزون:
13561046
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SMA5106 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Sanken Electric Co., Ltd.
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
4 N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
550mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
230pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
4W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
12-SIP
حزمة جهاز المورد
12-SIP
رقم المنتج الأساسي
SMA51
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
18
اسماء اخرى
SMA5106 DK
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
