الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSS35200CF8T1G
Product Overview
المُصنّع:
Sanyo
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSS35200CF8T1G-DG
وصف:
TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 635 mW Surface Mount ChipFET™
المخزون:
15000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12948057
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSS35200CF8T1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
35 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 20mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1.5A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
635 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NSS35200
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NSS35200CF8T1G Datasheet
معلومات إضافية
الباقة القياسية
726
اسماء اخرى
ONSSNYNSS35200CF8T1G
2156-NSS35200CF8T1G
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NZT751
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, PN
ASS8550-H-HF
TRANS PNP 25V 1.5A SOT23-3
SS8050DTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
ASS8050-H-HF
TRANS NPN 25V 1.5A SOT23-3