رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUL1403ED
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUL1403ED-DG
وصف:
TRANS NPN 650V 3A TO220
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 650 V 3 A 80 W Through Hole TO-220
المخزون:
12878479
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUL1403ED المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
650 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2.5V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
15 @ 400mA, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
80 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220
رقم المنتج الأساسي
BUL140
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
KSC5603DTU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4300
DiGi رقم الجزء
KSC5603DTU-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
