رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STB100N6F7
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STB100N6F7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
1346 قطع جديدة أصلية في المخزون
12870333
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
23Ee
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STB100N6F7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
STripFET™ F7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1980 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STB100
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
497-15894-2
497-15894-1
497-15894-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB155N3H6
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
STP6NK70Z
MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB
TP0610K-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
