STB100N6F7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STB100N6F7

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STB100N6F7-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

1346 قطع جديدة أصلية في المخزون
12870333
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
23Ee
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STB100N6F7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
STripFET™ F7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1980 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STB100

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
497-15894-2
497-15894-1
497-15894-6

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STB155N3H6

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STP6NK70Z

MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB

vishay-siliconix

TP0610K-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

nxp-semiconductors

BUK7619-100B,118

MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK