رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STB18NM80
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STB18NM80-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12872706
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STB18NM80 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
295mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2070 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
190W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STB18
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
497-10117-2
497-10117-1
497-10117-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCB290N80
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1509
DiGi رقم الجزء
FCB290N80-DG
سعر الوحدة
2.86
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPB17N80C3ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1942
DiGi رقم الجزء
SPB17N80C3ATMA1-DG
سعر الوحدة
2.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFA22N60P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFA22N60P3-DG
سعر الوحدة
3.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STFW42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
STL47N60M6
MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
STL11N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
