الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STB50NE10T4
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STB50NE10T4-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12878540
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STB50NE10T4 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
STripFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STB50N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
STB50NE10
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
HUF76639S3ST
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
HUF76639S3ST-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RSJ400N10TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
13
DiGi رقم الجزء
RSJ400N10TL-DG
سعر الوحدة
1.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN034-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4605
DiGi رقم الجزء
PSMN034-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTB6413ANT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
759
DiGi رقم الجزء
NTB6413ANT4G-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK9629-100B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9372
DiGi رقم الجزء
BUK9629-100B,118-DG
سعر الوحدة
0.65
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD40NF03LT4
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
STP3LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
STL110N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 108A POWERFLAT
STD25NF10LT4
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK