STD7NM50N-1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STD7NM50N-1

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STD7NM50N-1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

12945593
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STD7NM50N-1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™ II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
780mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
STD7

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STF2N95K5

MOSFET N-CH 950V 2A TO220FP

stmicroelectronics

STP9NK50Z

MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB

stmicroelectronics

STW45NM60

MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3

stmicroelectronics

STD10PF06T4

MOSFET P-CH 60V 10A DPAK