STF10N60DM2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STF10N60DM2

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STF10N60DM2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

المخزون:

1435 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878947
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STF10N60DM2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ DM2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
530mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
529 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF10

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-16959

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STFI4N62K3

MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP

stmicroelectronics

STWA48N60DM2

MOSFET N-CH 600V 40A TO247

stmicroelectronics

STP7NK30Z

MOSFET N-CH 300V 5A TO220AB

stmicroelectronics

STW11NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3